3.13.1 不同体系不同任务的输入文件

任何一个计算任务开始之前，请务必确保你的POSCAR是你想要的，同时确认POTCAR中的元素对应的赝势没有弄错。对于POSCAR来说，元素是否正确，元素顺序和原子坐标信息是否对应等，并且其中没有原子重叠的情况。一般在vesta肉眼看不出原子是否重叠，可以用ovito查看RDF（径向分布函数）来判断是否有原子重叠，如果RDF在0附近有峰，说明有原子距离十分近。自行网上搜索“OVITO下载，OVITO查看RDF”。

目前为止，DFT计算中常见的主要基本计算内容都已经介绍。针对不同的结构，不同的任务，考虑各种效应时，都需要针对地设置INCAR中不同的参数，并配合相应的KPOINTS文件。要明确你的体系是否要考虑磁性、强关联效应（+U）、VDW、SOC等效应；如果需要考虑这其中一种或多种，则结构优化、静态计算、能带态密度计算、声子、AIMD等一系列计算都需要在INCAR中加上相应的参数。有时候SOC对声子谱影响很小，一般在算声子时不考虑SOC，因为SOC算声子的时候计算量和内存需求很大。但是磁性体系算声子时一定要考虑磁性（已经明确的磁性体系不考虑磁性时，原子间的力算得不对，声子频率自然也不对，其余如+U，VDW同理）。

特别强调，对于磁性体系，一般跑300K或者更高温度的AIMD时，是不需要开自旋参数的，其物理含义是：磁性是材料在低温下的状态，大部分磁性材料在300K以上变非磁了，因此不开自旋参数做MD模拟更合理。当然有很多磁性体系在更高温度仍能保持磁性，需要分情况讨论。

（1） 如果含有d/f电子，比如含过渡金属，尤其是V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni以及稀土元素等，通常需要考虑是否有磁性，ISPIN=2以及MAGMOM参数；如果是它们的O/S化物，还可能需要进一步考虑强关联效应（+U），具体需要看相关体系的计算文献。

（2） 如果体系是层状材料，或者含小分子基团，则一般需要考虑VDW作用。

（3） 如果体系含有重元素，原子序数超过50的，一般还需要考虑SOC效应，尤其是对于能带结构和带隙的影响。

（4） 绝大部分计算时最常用的两种泛函是PBE和LDA。有时候某些性质如状态方程等也会用到如SCAN等高级一些的泛函，此外，一些分子体系也可能需要杂化泛函如B3LYP等。对于半导体和绝缘体，如果要获得体系准确的带隙，一般用杂化泛函，比如典型的HSE06；有些半导体体系也会用DFT+U的方法获得与实验匹配的带隙；不同泛函的使用，通过在INCAR中设置相应参数实现

https://www.vasp.at/wiki/index.php/List_of_hybrid_functionals

https://blog.shishiruqi.com/2019/05/20/hse/

（5） 有时候PBE或者HSE算出来的能带最上方几条锯齿形太严重，可以通过在INCAR中提高NBANDS参数（见2.3.5）再重新做的band计算即可。

（6） 当研究稀土元素时，VASP提供两套赝势，一套是把f电子作为芯电子，一套是将其视为价电子。原则上需要用后者的赝势进行计算，但通常此时在计算中容易遇到SCF不收敛的问题，解决方法见2.3.5；有时候也会直接用不含f电子的赝势文件。

（7） 原子数越多的计算，一般建议使用更多的cpu核心数，通过修改任务提交脚本实现。过多使用核数，可能造成计算资源浪费，边际效用递减。个人经验，保持核数和原子数接近是比较有性价比的选择之一。

（8） 在所有计算中合理利用NCORE和KPAR参数，以加速计算。但有一些计算，如算bader或者ELF，或者DFPT计算声子时，可能不支持设置NCORE为非1（默认1）。

（9） 不同的计算任务用了不同的vasp版本，或者在不同的服务器算的，会影响结果吗？一般不会，只要确保赝势版本是5.4.4版本以后即可，且是PBE而非PW91（目前一般下载到的都是新版的PBE）。但为了安全起见，最好拿一个结构在不同服务器或者VASP版本下测试静态计算的能量和力的差别。