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吴泽鹏
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DFT计算入门——VASP ⌄
概览
  • 前言
  • 一、DFT计算的理论框架
  • 二、VASP计算的输入输出文件
  • 三、VASP实操
    • 3.1 截断能和k-mesh收敛性测试
    • 3.2 借助辅助工具vaspkit生成输入文件
    • 3.3 结构优化(relax)
    • 3.4 电荷密度与成键分析
      • 3.4.1 电荷密度
      • 3.4.2 差分电荷密度
      • 3.4.3 Bader电荷
      • 3.4.4 电子局域函数(Electron Localization Function, ELF)
      • 3.4.5 晶体轨道哈密顿量布局(COHP)
    • 3.5 能带结构和电子态密度
    • 3.6 磁性体系
    • 3.7 声子谱与声子态密度
    • 3.8 从头算分子动力学(AIMD)
    • 3.9 杂化泛函与GW方法
    • 3.10 强关联效应(DFT+U)
    • 3.11 范德瓦尔斯相互作用(vdW)
    • 3.12 自旋轨道耦合(SOC)
    • 3.13 DFT计算常见问题
  • 四、其他参考资料、教程
  • 五、总结
首页/ 科研入门/DFT计算入门——VASP/ 3.4 电荷密度与成键分析

3.4 电荷密度与成键分析#

在研究体系原子间成键情况时,通常会涉及到电荷密度相关的分析,这里主要介绍五种:电荷密度、差分电荷密度、Bader电荷(以Bader电荷为代表的原子电荷)、电子局域函数(ELF)、晶体轨道哈密顿布居(COHP)

  • 3.4.1 电荷密度
  • 3.4.2 差分电荷密度
  • 3.4.3 Bader电荷
  • 3.4.4 电子局域函数(Electron Localization Function, ELF)
  • 3.4.5 晶体轨道哈密顿量布局(COHP)
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